FDP5800 - описание и поиск аналогов

 

FDP5800. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP5800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP5800

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP5800 даташит

 ..1. Size:609K  fairchild semi
 fdp5800.pdf pdf_icon

FDP5800

November 2006 FDP5800 tm N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V,80A, 6m Features Applications RDS(on) = 4.6m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermly low Rdson Power Train Management Low gate Charge Injection Systems High power and current handing capability DC-AC Converter

 ..2. Size:679K  onsemi
 fdp5800.pdf pdf_icon

FDP5800

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , 5N65 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.