Справочник MOSFET. FDP5800

 

FDP5800 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDP5800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 112 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FDP5800

 

 

FDP5800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  fairchild semi
 fdp5800.pdf

FDP5800 FDP5800

November 2006FDP5800tmN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V,80A, 6mFeatures Applications RDS(on) = 4.6m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermly low Rdson Power Train Management Low gate Charge Injection Systems High power and current handing capability DC-AC Converter

 ..2. Size:679K  onsemi
 fdp5800.pdf

FDP5800 FDP5800

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , AON7410 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 .

 

 
Back to Top