SVT078R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVT078R0NT
   Código: 078R0NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 74.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 46 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 262 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVT078R0NT

SVT078R0NT Datasheet (PDF)

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SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

5.1. Size:1010K umw-ic
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RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

9.1. Size:442K 1
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