SVT078R0NT - описание и поиск аналогов

 

SVT078R0NT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT078R0NT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVT078R0NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT078R0NT даташит

 ..1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT078R0NT

SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 5.1. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT078R0NT

R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa

 9.1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT078R0NT

Другие MOSFET... SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , SVT078R0NS , 20N50 , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , SVT10500PD , SVT1104SA , SVT20240NP7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.