SVTP209R7NP7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVTP209R7NP7
   Código: P209R7NP7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 469 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 793 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros