Справочник MOSFET. SVTP209R7NP7

 

SVTP209R7NP7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVTP209R7NP7
   Маркировка: P209R7NP7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 185 nC
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SVTP209R7NP7

 

 

SVTP209R7NP7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  silan
svtp209r7np7.pdf

SVTP209R7NP7
SVTP209R7NP7

SVTP209R7NP7 130A200V N 2 SVTP209R7NP7 N MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top