EMF90P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMF90P02A
   Código: F90P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMF90P02A

EMF90P02A Datasheet (PDF)

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emf90p02a.pdf

EMF90P02APChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS20VRDSON(MAX.)90mID10AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTC=25C

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: