Справочник MOSFET. EMF90P02A

 

EMF90P02A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMF90P02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для EMF90P02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF90P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  1
 emf90p02a.pdf pdf_icon

EMF90P02A

EMF90P02APChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS20VRDSON(MAX.)90mID10AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTC=25C

Другие MOSFET... SVT20240NT , SVT25600NF , SVT25600NT , SVT3025D4 , SVT4607SA , SVTP035R5NL3 , SVTP209R7NP7 , EMB07N03HR , AON7403 , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W .

History: WMB90P04TS | MTDN9971Q8 | SI2302 | MTDN9922Q8 | WMB03DN06T1 | WMB02DN10T1 | NCE1608N

 

 
Back to Top

 


 
.