STM122N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM122N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM122N

STM122N Datasheet (PDF)

..1. Size:104K samhop
stm122n.pdf

GrPPrPPSTM122NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3.4A125 @ VGS=4.5VD2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TA=25C unless othe

9.1. Size:103K samhop
stm121n.pdf

GrPPrPPSTM121NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.155 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.8A192 @ VGS=4.5V5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25C unless other

Otros transistores... FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , IRF2807 , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: