STM122N Todos los transistores

 

STM122N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM122N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de STM122N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STM122N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  samhop
 stm122n.pdf pdf_icon

STM122N

GrPPrPPSTM122NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3.4A125 @ VGS=4.5VD2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TA=25C unless othe

 9.1. Size:103K  samhop
 stm121n.pdf pdf_icon

STM122N

GrPPrPPSTM121NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.155 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.8A192 @ VGS=4.5V5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25C unless other

Otros transistores... FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , IRLZ44N , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 .

History: FDP3682 | UT8205AG-AG6 | MMDF3N04HD | HUF76409D3S | HUF76419S3S | HUF75339S3ST | STH45N10FI

 

 
Back to Top

 


 
.