STM122N - описание и поиск аналогов

 

STM122N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM122N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STM122N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM122N даташит

 ..1. Size:104K  samhop
 stm122n.pdf pdf_icon

STM122N

Gr P Pr P P STM122N a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 100 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 3.4A 125 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless othe

 9.1. Size:103K  samhop
 stm121n.pdf pdf_icon

STM122N

Gr P Pr P P STM121N a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 155 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 2.8A 192 @ VGS=4.5V 5 4 D2 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 8 1 D1 S 1 1 (TA=25 C unless other

Другие MOSFET... FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , AON6380 , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 .

History: SUN0460D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.