Справочник MOSFET. STM122N

 

STM122N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM122N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM122N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM122N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  samhop
 stm122n.pdf pdf_icon

STM122N

GrPPrPPSTM122NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3.4A125 @ VGS=4.5VD2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TA=25C unless othe

 9.1. Size:103K  samhop
 stm121n.pdf pdf_icon

STM122N

GrPPrPPSTM121NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.155 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.8A192 @ VGS=4.5V5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25C unless other

Другие MOSFET... FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , IRLZ44N , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 .

History: BUZ900D | BR50N10

 

 
Back to Top

 


 
.