HY5012W Todos los transistores

 

HY5012W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY5012W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 125 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: TO247

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HY5012W datasheet

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HY5012W

HY5012W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 125V/300A 2.9 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D D (RoHS Compliant) G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Otros transistores... EMF90P02A , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , AO4407A , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D .

History: WML9N90D1B | WMO05N80M3 | WMM08N70EM | WMN13N50C4 | WMM36N65F2 | CS55N25A8R-G

 

 

 

 

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