HY5012W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY5012W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 125 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 300 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 352 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1570 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY5012W
HY5012W Datasheet (PDF)
hy5012w hy5012a.pdf
HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .