Справочник MOSFET. HY5012W

 

HY5012W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5012W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HY5012W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5012W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  1
 hy5012w hy5012a.pdf pdf_icon

HY5012W

HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... EMF90P02A , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , AO3407 , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D .

History: TK9A60D | WTK9431 | TK70A06J1

 

 
Back to Top

 


 
.