HY5012W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY5012W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 125 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 300 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 352 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 1570 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO247
HY5012W Datasheet (PDF)
..1. Size:617K 1
hy5012w hy5012a.pdf
hy5012w hy5012a.pdf
HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
