HY5012W - описание и поиск аналогов

 

HY5012W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY5012W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HY5012W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5012W даташит

 ..1. Size:617K  1
 hy5012w hy5012a.pdf pdf_icon

HY5012W

HY5012W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 125V/300A 2.9 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D D (RoHS Compliant) G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие MOSFET... EMF90P02A , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , AO4407A , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D .

History: 2SK2417 | FDD6644

 

 

 

 

↑ Back to Top
.