HY5012A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY5012A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1570 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HY5012A MOSFET
HY5012A Datasheet (PDF)
hy5012w hy5012a.pdf

HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Otros transistores... FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , AO4468 , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 .
History: SSF6808 | JST2302H | IRFB4110PBF | 2N6792JANT | SFG130N10KF
History: SSF6808 | JST2302H | IRFB4110PBF | 2N6792JANT | SFG130N10KF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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