Справочник MOSFET. HY5012A

 

HY5012A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5012A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 352 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5012A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  1
 hy5012w hy5012a.pdf pdf_icon

HY5012A

HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB5N50C | HY4903B6 | FQB12N50TMAM002 | FQAF15N70 | STS1DN45K3 | FQB50N06L

 

 
Back to Top

 


 
.