Справочник MOSFET. HY5012A

 

HY5012A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY5012A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 352 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HY5012A

 

 

HY5012A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  1
 hy5012w hy5012a.pdf

HY5012A HY5012A

HY5012W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 125V/300A2.9RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDD(RoHS Compliant) GGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top