PK5E6BA Todos los transistores

 

PK5E6BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK5E6BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PK5E6BA datasheet

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PK5E6BA

PK5E6BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 52A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 25 V TC = 25 C 52 ID Continuous Drain Current4 TC = 100 C 3

 ..2. Size:466K  niko-sem
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PK5E6BA

N-Channel Enhancement Mode PK5E6BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 5.25m 64A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , IRFP064N , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T .

History: IRLZ24NS | 2SK1315L | WMP15N60C4 | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR | SWU069R10VS

 

 

 

 

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