PK5E6BA - описание и поиск аналогов

 

PK5E6BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK5E6BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK5E6BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5E6BA даташит

 ..1. Size:895K  1
 pk5e6ba.pdf pdf_icon

PK5E6BA

PK5E6BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 52A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 25 V TC = 25 C 52 ID Continuous Drain Current4 TC = 100 C 3

 ..2. Size:466K  niko-sem
 pk5e6ba.pdf pdf_icon

PK5E6BA

N-Channel Enhancement Mode PK5E6BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 5.25m 64A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , IRFP064N , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T .

History: AOD2922 | TX15N10B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.