PTP03N04N Todos los transistores

 

PTP03N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP03N04N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de PTP03N04N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTP03N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1170K  1
 ptp03n04n.pdf pdf_icon

PTP03N04N

PTP03N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 2.1m 240A RDS(ON),typ.=2.1 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Package Brand PTP03N04N

Otros transistores... HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , IRF730 , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 .

History: SVSP24N60TD2 | IRFI520N | IPA093N06N3G | SSD40N10-30D | APT50M80LVFRG | SSPL2015F | SFM9214

 

 
Back to Top

 


 
.