PTP03N04N - описание и поиск аналогов

 

PTP03N04N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTP03N04N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для PTP03N04N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP03N04N даташит

 ..1. Size:1170K  1
 ptp03n04n.pdf pdf_icon

PTP03N04N

PTP03N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 2.1m 240A RDS(ON),typ.=2.1 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Package Brand PTP03N04N

Другие MOSFET... HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , AO4468 , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 .

History: 2SK2417 | FDD6644

 

 

 

 

↑ Back to Top
.