Справочник MOSFET. PTP03N04N

 

PTP03N04N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP03N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PTP03N04N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP03N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1170K  1
 ptp03n04n.pdf pdf_icon

PTP03N04N

PTP03N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 2.1m 240A RDS(ON),typ.=2.1 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Package Brand PTP03N04N

Другие MOSFET... HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , IRFP064N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 .

History: SSD02N65 | MTD5P06VT4

 

 
Back to Top

 


 
.