RMN3N5R0DN Todos los transistores

 

RMN3N5R0DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RMN3N5R0DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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RMN3N5R0DN Datasheet (PDF)

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RMN3N5R0DN

RMN3N5R0DNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 5m RoHS Compliant & Halogen-FreeDGDDSDDescriptionRMN3N5R0DN is from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-Sresistance and fast switching performance. It provides the designer

Otros transistores... HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , BS170 , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C .

History: IRF7306PBF | BUZ906P | APT8024JLL | NCEP048NH150T | SRT06N022HS

 

 
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