Справочник MOSFET. RMN3N5R0DN

 

RMN3N5R0DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMN3N5R0DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 

 Аналог (замена) для RMN3N5R0DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RMN3N5R0DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  1
 rmn3n5r0dn.pdf pdf_icon

RMN3N5R0DN

RMN3N5R0DNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 5m RoHS Compliant & Halogen-FreeDGDDSDDescriptionRMN3N5R0DN is from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-Sresistance and fast switching performance. It provides the designer

Другие MOSFET... HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , BS170 , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C .

History: KHB019N20F1 | IPP80N04S2-04 | IPN50R1K4CE | HRP90N75K | TMD3N50Z | SRT04N016L | ME2301

 

 
Back to Top

 


 
.