RMN3N5R0DN - описание и поиск аналогов

 

RMN3N5R0DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RMN3N5R0DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для RMN3N5R0DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RMN3N5R0DN даташит

 ..1. Size:124K  1
 rmn3n5r0dn.pdf pdf_icon

RMN3N5R0DN

RMN3N5R0DN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 5m RoHS Compliant & Halogen-Free D G D D S D Description RMN3N5R0DN is from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- S resistance and fast switching performance. It provides the designer

Другие MOSFET... HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , IRF730 , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C .

History: WMM90R360S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.