FDP61N20 Todos los transistores

 

FDP61N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP61N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP61N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  fairchild semi
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FDP61N20

September 2005TMUniFETFDP61N20200V N-Channel MOSFETFeatures Description 61A, 200V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 58 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailore

 ..2. Size:519K  onsemi
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FDP61N20

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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