FDP61N20 - описание и поиск аналогов

 

FDP61N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP61N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP61N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP61N20 даташит

 ..1. Size:657K  fairchild semi
 fdp61n20.pdf pdf_icon

FDP61N20

September 2005 TM UniFET FDP61N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 61A, 200V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 58 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF) This advanced technology has been especially tailore

 ..2. Size:519K  onsemi
 fdp61n20.pdf pdf_icon

FDP61N20

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , IRF530 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 , FDP8440 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.