FDP61N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP61N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 61 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP61N20 Datasheet (PDF)
fdp61n20.pdf
September 2005TMUniFETFDP61N20200V N-Channel MOSFETFeatures Description 61A, 200V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 58 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailore
fdp61n20.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , IRF2807 , STM121N , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 , FDP8440 .
