WM01P41M Todos los transistores

 

WM01P41M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM01P41M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM01P41M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  way-on
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WM01P41M

Document:W0803040, Rev: D WM01P41M M P-Channel MOSFET Features V = -12V, I = -4.1A DS DR

 9.1. Size:402K  way-on
 wm01p60m.pdf pdf_icon

WM01P41M

WM01P60M P-Channel MOSFET Features V = -12 V, I = -6A DS DR

Otros transistores... HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , IRF3205 , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D .

History: MEE3716T | F15F60C3M | IRF7240PBF | ME50P06-G | ME8117-G | AP2300MI

 

 
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