WM01P41M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM01P41M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM01P41M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM01P41M даташит
wm01p41m.pdf
Document W0803040, Rev D WM01P41M M P-Channel MOSFET Features V = -12V, I = -4.1A DS D R
Другие MOSFET... HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , IRF3205 , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D .
History: WTM2300
History: WTM2300
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet