Справочник MOSFET. WM01P41M

 

WM01P41M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM01P41M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM01P41M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM01P41M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  way-on
 wm01p41m.pdf pdf_icon

WM01P41M

Document:W0803040, Rev: D WM01P41M M P-Channel MOSFET Features V = -12V, I = -4.1A DS DR

 9.1. Size:402K  way-on
 wm01p60m.pdf pdf_icon

WM01P41M

WM01P60M P-Channel MOSFET Features V = -12 V, I = -6A DS DR

Другие MOSFET... HY3408APS , HY3408APM , HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , IRF3205 , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D .

History: NTD24N06LT4G | STL11N3LLH6 | SI2306DS | SIR876ADP | HB3710P | WMK028N10HGS | SI4435DY

 

 
Back to Top

 


 
.