WM02DH08D Todos los transistores

 

WM02DH08D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02DH08D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM02DH08D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08D

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.2. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 11NM70G-TF1-T | LSF60R240HT | 2SK2071-01L | ATM2N65TE | BUK9Y58-75B | IRF3707L | IXFH16N60P3

 

 
Back to Top

 


 
.