WM02DH08D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02DH08D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Encapsulados: SOT363
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WM02DH08D datasheet
wm02dh08d.pdf
WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS D R
wm02dh08t.pdf
Document W0803114, Rev C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6 V = 20V, I = 0.75A DS D R
wm02dh08m3.pdf
WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel V = 20V, I = 1.4A DS D R
Otros transistores... HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , IRF840 , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D , WM02DN08T , WM02DN095C .
History: CJBE5005 | 20N03 | NTMS4177PR
History: CJBE5005 | 20N03 | NTMS4177PR
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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