Справочник MOSFET. WM02DH08D

 

WM02DH08D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02DH08D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02DH08D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08D

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.2. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RFD8P05SM | SLP12N65C | IPB60R299CP | SWD030R04VT | CEP75N06G | IPD60R3K3C6 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.