Справочник MOSFET. WM02DH08D

 

WM02DH08D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02DH08D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для WM02DH08D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02DH08D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08D

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.2. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08D

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY5012W , HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , IRF840 , WM02DH08M3 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D , WM02DN08T , WM02DN095C .

History: SI4947DY | ISCNH346F | SML1001RHN | WMM12N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.