WM02DH08M3 Todos los transistores

 

WM02DH08M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02DH08M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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WM02DH08M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08M3

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

 6.1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08M3

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.2. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08M3

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08M3

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

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History: MTD120C10KQ8 | IRF7307QPBF | VN1204N1 | SI6968BEDQ

 

 
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