WM02DH08M3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM02DH08M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для WM02DH08M3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM02DH08M3 даташит
wm02dh08m3.pdf
WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel V = 20V, I = 1.4A DS D R
wm02dh08t.pdf
Document W0803114, Rev C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6 V = 20V, I = 0.75A DS D R
wm02dh08d.pdf
WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS D R
Другие MOSFET... HY5012A , PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , 20N60 , WM02DH08T , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D , WM02DN08T , WM02DN095C , WM02DN110C .
History: WSD75100DN56 | SWT69N65K2 | WMK25N65EM | WML340N20HG2 | IPP07N03L
History: WSD75100DN56 | SWT69N65K2 | WMK25N65EM | WML340N20HG2 | IPP07N03L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56