WM02DH08T Todos los transistores

WM02DH08T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02DH08T
   Código: 26K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02DH08T

WM02DH08T Datasheet (PDF)

..1. Size:600K way-on
wm02dh08t.pdf

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

6.1. Size:609K way-on
wm02dh08m3.pdf

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

6.2. Size:467K way-on
wm02dh08d.pdf

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

8.1. Size:905K way-on
wm02dh50m3.pdf

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

WM02DH08T

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Liste

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