WM02DH08T - описание и поиск аналогов

 

WM02DH08T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02DH08T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для WM02DH08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02DH08T даташит

 ..1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08T

Document W0803114, Rev C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6 V = 20V, I = 0.75A DS D R

 6.1. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08T

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel V = 20V, I = 1.4A DS D R

 6.2. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08T

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS D R

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PK5E6BA , PTP03N04N , RMN3N5R0DN , RU75N08R , WM01P41M , WM01P60M , WM02DH08D , WM02DH08M3 , IRF540N , WM02DH50M3 , WM02DN080C , WM02DN085C , WM02DN08D , WM02DN08T , WM02DN095C , WM02DN110C , WM02DN48A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.