Справочник MOSFET. WM02DH08T

 

WM02DH08T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02DH08T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT563
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02DH08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  way-on
 wm02dh08t.pdf pdf_icon

WM02DH08T

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

 6.1. Size:609K  way-on
 wm02dh08m3.pdf pdf_icon

WM02DH08T

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

 6.2. Size:467K  way-on
 wm02dh08d.pdf pdf_icon

WM02DH08T

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

 8.1. Size:905K  way-on
 wm02dh50m3.pdf pdf_icon

WM02DH08T

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: UP9971G-D08-T | IRFL110PBF | FMV16N60E | CMT04N60XN220FP | IRF3707SPBF | JCS4N65SB | AP3989R

 

 
Back to Top

 


 
.