STM121N Todos los transistores

 

STM121N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM121N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM121N Datasheet (PDF)

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STM121N

GrPPrPPSTM121NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.155 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.8A192 @ VGS=4.5V5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25C unless other

 9.1. Size:104K  samhop
 stm122n.pdf pdf_icon

STM121N

GrPPrPPSTM122NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3.4A125 @ VGS=4.5VD2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TA=25C unless othe

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N7272H1 | FDS9412 | CM1N60S | HUF75344S3S

 

 
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