STM121N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STM121N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: SOP8

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STM121N datasheet

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STM121N

Gr P Pr P P STM121N a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 155 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 2.8A 192 @ VGS=4.5V 5 4 D2 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 8 1 D1 S 1 1 (TA=25 C unless other

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STM121N

Gr P Pr P P STM122N a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 100 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 3.4A 125 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless othe

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