STM121N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STM121N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для STM121N
STM121N Datasheet (PDF)
stm121n.pdf
GrPPrPPSTM121NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.155 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.8A192 @ VGS=4.5V5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25C unless other
stm122n.pdf
GrPPrPPSTM122NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3.4A125 @ VGS=4.5VD2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TA=25C unless othe
Другие MOSFET... STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , CS150N03A8 , FDP65N06 , FDP75N08A , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 , FDP8440 , FDP8441 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73



