WM02N20G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02N20G
Código: TS2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 2.6 nC
Tiempo de subida (tr): 3.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02N20G
WM02N20G Datasheet (PDF)
wm02n20g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR
wm02n20f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR
wm02n28m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![WM02N20G](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WM02N20G](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WM02N20G](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C