WM02N20G Todos los transistores

 

WM02N20G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02N20G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT323

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WM02N20G datasheet

 ..1. Size:928K  way-on
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WM02N20G

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D R

 7.1. Size:440K  way-on
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WM02N20G

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D G R

 8.1. Size:328K  way-on
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WM02N20G

Document W0803348, Rev B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS D R

 8.2. Size:416K  way-on
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WM02N20G

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS D R

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History: NTHD4508N | 2SK1315L | WMP15N60C4 | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR | SWU069R10VS

 

 

 

 

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