WM02N20G Todos los transistores

WM02N20G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02N20G
   Código: TS2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02N20G

WM02N20G Datasheet (PDF)

..1. Size:928K way-on
wm02n20g.pdf

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR

7.1. Size:440K way-on
wm02n20f.pdf

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR

8.1. Size:328K way-on
wm02n28m.pdf

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR

8.2. Size:416K way-on
wm02n25m.pdf

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS DR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WM02P56M2

History: WM02P56M2

WM02N20G

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