WM02N20G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

WM02N20G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: WM02N20G
   Маркировка: TS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.6 nC
   Время нарастания (tr): 3.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 37 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM02N20G