WM02N20G - описание и поиск аналогов

 

WM02N20G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N20G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM02N20G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N20G даташит

 ..1. Size:928K  way-on
 wm02n20g.pdf pdf_icon

WM02N20G

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D R

 7.1. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N20G

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D G R

 8.1. Size:328K  way-on
 wm02n28m.pdf pdf_icon

WM02N20G

Document W0803348, Rev B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS D R

 8.2. Size:416K  way-on
 wm02n25m.pdf pdf_icon

WM02N20G

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , IRFP250N , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.