WM02N25M Todos los transistores

WM02N25M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02N25M
   Código: 2302F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02N25M

WM02N25M Datasheet (PDF)

..1. Size:416K way-on
wm02n25m.pdf

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS DR

8.1. Size:928K way-on
wm02n20g.pdf

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR

8.2. Size:328K way-on
wm02n28m.pdf

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR

8.3. Size:440K way-on
wm02n20f.pdf

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

WM02N25M

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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