WM02N25M Todos los transistores

 

WM02N25M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02N25M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM02N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  way-on
 wm02n25m.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS DR

 8.1. Size:928K  way-on
 wm02n20g.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR

 8.2. Size:328K  way-on
 wm02n28m.pdf pdf_icon

WM02N25M

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR

 8.3. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR

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History: MTNK2S3

 

 
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