WM02N25M Todos los transistores

 

WM02N25M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02N25M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM02N25M datasheet

 ..1. Size:416K  way-on
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WM02N25M

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS D R

 8.1. Size:928K  way-on
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WM02N25M

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D R

 8.2. Size:328K  way-on
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WM02N25M

Document W0803348, Rev B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS D R

 8.3. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D G R

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