WM02N25M - описание и поиск аналогов

 

WM02N25M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N25M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM02N25M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N25M даташит

 ..1. Size:416K  way-on
 wm02n25m.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS D R

 8.1. Size:928K  way-on
 wm02n20g.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D R

 8.2. Size:328K  way-on
 wm02n28m.pdf pdf_icon

WM02N25M

Document W0803348, Rev B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS D R

 8.3. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N25M

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D G R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , IRF630 , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.