WM02N31M Todos los transistores

 

WM02N31M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02N31M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM02N31M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  way-on
 wm02n31m.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N31M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 3.1A DS DR

 9.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 9.2. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.3. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

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History: PNMTO600V4 | FDN338 | SI6435ADQ | 2SK3107C | SSF3056C | IRLZ34NS | S10H12S

 

 
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