WM02N31M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02N31M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM02N31M
WM02N31M Datasheet (PDF)
wm02n31m.pdf

WM02N31M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 3.1A DS DR
wm02n75m2.pdf

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR
wm02n08l.pdf

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08f.pdf

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
Другие MOSFET... WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , 2N7000 , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L .
History: IXFC16N80P | IXTQ160N075T | ME3205T-G
History: IXFC16N80P | IXTQ160N075T | ME3205T-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor