Справочник MOSFET. WM02N31M

 

WM02N31M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N31M
   Маркировка: S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N31M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  way-on
 wm02n31m.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N31M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 3.1A DS DR

 9.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 9.2. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.3. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N31M

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.