FDP75N08A Todos los transistores

 

FDP75N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP75N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 137 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP75N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  fairchild semi
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FDP75N08A

July 2006 TMUniFETFDP75N08A75V N-Channel MOSFETFeatures Description 75A, 75V, RDS(on) = 0.011 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 145nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 86pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1266K  onsemi
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FDP75N08A

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: FS5VS-6 | BF908 | IXFX28N60 | IRF7832

 

 
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