Справочник MOSFET. FDP75N08A

 

FDP75N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP75N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP75N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP75N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  fairchild semi
 fdp75n08 fdp75n08a.pdf pdf_icon

FDP75N08A

July 2006 TMUniFETFDP75N08A75V N-Channel MOSFETFeatures Description 75A, 75V, RDS(on) = 0.011 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 145nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 86pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1266K  onsemi
 fdp75n08a.pdf pdf_icon

FDP75N08A

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N , FDP65N06 , IRFP250 , FDP7N50 , FDP7N60NZ , STM105N , FDP80N06 , FDP8440 , FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L .

 

 
Back to Top

 


 
.