WM02N45M Todos los transistores

 

WM02N45M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02N45M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM02N45M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  way-on
 wm02n45m.pdf pdf_icon

WM02N45M

WM02N45M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 4.5A DS DR

 9.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N45M

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 9.2. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N45M

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.3. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N45M

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

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History: NTA4153NT1 | WSD4038DN | HUF75617D3ST

 

 
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