WM02N45M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM02N45M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM02N45M
WM02N45M Datasheet (PDF)
wm02n45m.pdf
WM02N45M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 4.5A DS DR
wm02n75m2.pdf
WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR
wm02n08l.pdf
WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08f.pdf
WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
Другие MOSFET... WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , 2SK3878 , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R .
History: BRCS4N10TA | UPA1858GR
History: BRCS4N10TA | UPA1858GR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21















