WM02N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02N50M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM02N50M MOSFET
WM02N50M Datasheet (PDF)
wm02n50m.pdf

WM02N50M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 5A DS DR
wm02n75m2.pdf

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR
wm02n08l.pdf

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08f.pdf

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
Otros transistores... WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , SKD502T , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F .
History: N0604N | STD5N20LT4 | HM3018KR
History: N0604N | STD5N20LT4 | HM3018KR



Liste
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