WM02N50M Todos los transistores

 

WM02N50M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02N50M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM02N50M datasheet

 ..1. Size:453K  way-on
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WM02N50M

WM02N50M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 5A DS D R

 9.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS D R

 9.2. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 9.3. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

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History: BLV108 | TK4R3A06PL

 

 

 

 

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