Справочник MOSFET. WM02N50M

 

WM02N50M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N50M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02N50M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  way-on
 wm02n50m.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N50M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 5A DS DR

 9.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 9.2. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.3. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N50M

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , 12N60 , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F .

History: PS06P30SA | MSAEZ50N10A | QS6J11

 

 
Back to Top

 


 
.