WM02P06H Todos los transistores

 

WM02P06H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02P06H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: SOT723

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WM02P06H datasheet

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WM02P06H

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

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WM02P06H

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D S R

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WM02P06H

Document W0803106, Rev B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

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WM02P06H

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

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History: SPA65R72G

 

 

 

 

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