WM02P06H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02P06H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT723
Búsqueda de reemplazo de WM02P06H MOSFET
WM02P06H Datasheet (PDF)
wm02p06h.pdf

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06f.pdf

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR
wm02p06l.pdf

Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06g.pdf

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
Otros transistores... WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , AO3400 , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 .



Liste
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