WM02P06H - описание и поиск аналогов

 

WM02P06H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02P06H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для WM02P06H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P06H даташит

 ..1. Size:424K  way-on
 wm02p06h.pdf pdf_icon

WM02P06H

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

 7.1. Size:364K  way-on
 wm02p06f.pdf pdf_icon

WM02P06H

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D S R

 7.2. Size:2423K  way-on
 wm02p06l.pdf pdf_icon

WM02P06H

Document W0803106, Rev B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

 7.3. Size:553K  way-on
 wm02p06g.pdf pdf_icon

WM02P06H

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , AO3401 , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.