WM02P18F Todos los transistores

 

WM02P18F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02P18F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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WM02P18F datasheet

 ..1. Size:438K  way-on
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WM02P18F

WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A D DS D R

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WM02P18F

WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WM02P160R uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
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WM02P18F

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

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WM02P18F

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

Otros transistores... WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , 4435 , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 .

History: AP2320GN-HF | SWT38N65K2 | NTJS4151P | NVTFS5826NL | AP95T10GI | AOD3N40 | NVA4153N

 

 

 

 

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