Справочник MOSFET. WM02P18F

 

WM02P18F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P18F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P18F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  way-on
wm02p18f.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A DDS DR

 8.1. Size:597K  way-on
wm02p160r.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWM02P160R uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS12N60A8R | SMK0460D | IRFD24N | NTP2955 | AM4962NE | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.