WM02P18F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02P18F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3L
Аналог (замена) для WM02P18F
WM02P18F Datasheet (PDF)
wm02p18f.pdf

WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A DDS DR
wm02p160r.pdf

WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWM02P160R uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS DR
wm02p23m.pdf

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
wm02p40me.pdf

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
Другие MOSFET... WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , 2SK3568 , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 .
History: STF32N65M5 | CJAB60N03
History: STF32N65M5 | CJAB60N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor