Справочник MOSFET. WM02P18F

 

WM02P18F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P18F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для WM02P18F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P18F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  way-on
wm02p18f.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A DDS DR

 8.1. Size:597K  way-on
wm02p160r.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWM02P160R uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , 2SK3568 , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 .

History: STF32N65M5 | CJAB60N03

 

 
Back to Top

 


 
.