WM02P18F - описание и поиск аналогов

 

WM02P18F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02P18F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для WM02P18F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P18F даташит

 ..1. Size:438K  way-on
wm02p18f.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A D DS D R

 8.1. Size:597K  way-on
wm02p160r.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WM02P160R uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P18F

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

Другие MOSFET... WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , 4435 , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 .

History: SGSP351 | RCJ220N25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.