WM02P30ME Todos los transistores

 

WM02P30ME MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02P30ME
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM02P30ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  way-on
wm02p30me.pdf pdf_icon

WM02P30ME

WM02P30ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -3A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdf pdf_icon

WM02P30ME

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdf pdf_icon

WM02P30ME

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdf pdf_icon

WM02P30ME

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

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History: IXTQ130N15T | PSMN040-200W

 

 
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