WM02P30ME - описание и поиск аналогов

 

WM02P30ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02P30ME

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM02P30ME

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P30ME даташит

 ..1. Size:458K  way-on
wm02p30me.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P30ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -3A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D S R

Другие MOSFET... WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , 13N50 , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A .

History: R6015KNZ | 2SK1941 | MTA50P01SN3 | CL616BA | ME3205T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.