Справочник MOSFET. WM02P30ME

 

WM02P30ME Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P30ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P30ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P30ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  way-on
wm02p30me.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P30ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -3A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdfpdf_icon

WM02P30ME

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

Другие MOSFET... WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , TK10A60D , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A .

History: 2SK3492 | BSC100N10NSFG | AP9926 | WM02P23M | 2SK857

 

 
Back to Top

 


 
.