WM02P40ME MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02P40ME
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.08 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM02P40ME MOSFET
WM02P40ME Datasheet (PDF)
wm02p40me.pdf

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
wm02p40m3.pdf

Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR
wm02p41m.pdf

WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR
wm02p23m.pdf

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
Otros transistores... WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , IRF1010E , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A .
History: AM2305 | IPC100N04S5-2R8 | IPB65R115CFD7A | NDB608B | PSMN2R7-30BL | SWF6N60K | 2SK2819
History: AM2305 | IPC100N04S5-2R8 | IPB65R115CFD7A | NDB608B | PSMN2R7-30BL | SWF6N60K | 2SK2819



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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